притом что этот самсунг ~450$, а интел 4510 ~550$

Ок, повторяем математику для Samsung - 2.7PBW на SSD. 11PBW на дисковую группу. 22+ PBW для WB SSD.

Не говоря уже о том, что 11PBW - это ~10TB в день, каждый день на три года. На каждую дисковую группу

то есть вполне под капасити пойдут и самсунги, как мне кажется

Я не к тому, что я топлю за Samsung - берите, что нравится. Но значение DWPD переоцененно и всех сильно отпускает, если считать в абсолютных PBW. А на сами Samsung (с точки зрения поломок) жалоб особых я не слышал (точнее они, разумеется, тоже мрут, но так же, как и другие). В моих руках больше S4510 погорело, но, возможно, это потому, что у меня их просто больше было. И к тому же, гарантию и замену вроде никто не отменял.

спасибо Коля, помог

Значит у меня не b, а просто 1725 или 1725a. Потому что на 800GB

Но они, разумеется, не под Capacity. А под Write Buffer

Интересно, кстати, как вендоры считают DWPD: последовательной записью или случайной?
Читал, что vSAN пишет в capacity большими страницами, и NAND должен медленнее изнашиваться, чем, например, при randomwrite bs=4K.

Они пишут разный DWPD под различной нагрузкой. Вот пример - Intel P4320 2.8PBW(random), 12.3PBW(sequential)

В любом случае, я пока не знаю ни одного примера, когда Endurance в Capacity Tier реально закончился или хотя бы кого-то стал напрягать. А расчитывать срок службы SSD в 7+ лет - тоже бессмыслено. Поэтому, честного говоря, ни вижу смысла на это обращать внимания.

@calivm - тут про WB пишут, но я думаю что и к capacity это тоже относится:

Block allocation in the WB region is performed in a round-robin fashion keeping wear leveling in mind. Even when a write operation is an overwrite of data that is already in the WB, VSAN never does an in-place re-write of an existing SSD page. Instead, a new block is allocated and metadata are updated to reflect that the old blocks are invalid. VSAN fills an entire SSD page, before it moves to the next one. Eventually, entire pages are freed when all their data are invalid (it is very rare that VSAN may have to re-buffer data to allow  for SSD pages to be freed). Also, because the device firmware does not have visibility into invalidated data, it sees no “holes” in pages. Thus, internal write leveling (by moving data around to fill holes in pages) is practically eliminated. This has a very positive impact on the overall endurance of a device. In general, VSAN’s design has gone to great lengths to impose a workload that is very benign to the endurance of SSDs. As a result, we expect that the life expectancy of SSDs in VSAN may exceed the manufacturers’ specifications, which are developed with more generic workloads in mind.

Можно у Гриши Никонова поинтересоваться

Ещё у меня вопрос есть:
Log и WB являются разными структурами на кэше? Есть ли ограничение их по размеру?
Ну и заодно, какой алгоритм вытеснения (не дестейджинга) чистых буферов при записи?

Что вы имеете ввиду под "вытеснением чистых буферов" и чем это отличается от дестейджа ?

Тем, что записанные данные используются в качестве кэша какое-то время, пока не вытеснятся новыми.

Эээ...  Если это write-back write buffer, то из него можно читать всегда по определению

Кто ж спорит :)
Но у него наверняка есть размер (доля диска) и какой-нибудь алгоритм вытеснения, FIFO там или ARC, например.

Вытеснение, разумеется, есть