Ааа, теперь понял смысл фразы виа шэринг, спасибо.

Ну или слишком дорого делать по другому

Ну зависит же. Например от того, что рядом может по плате бегать. Может тут же рядом силовая линия на хренову тучу вольт и ампер идёт, а плата вся усрана в пыли и чем-нибудь ещё проводящем. Тут уже не то, что генерацию сбить - может и кварц/входы мк убить в общем-то.
А для каких-нибудь ОУ во многих ситуациях guard ring вообще лучше сделать чем не сделать. Я так уже однажды на прототипе с LOG114 забил на guard ring, решив что он нафиг не нужен - 3 вольта, токи никакущие рядом вроде бегают. Пришлось новый делать.
Так что не стоит так безапелляционно говорить что сабж вообще является шаманством. Конкретно тут он бы являлся шаманством, это да.

Via sharing, как следует из названия — наличие одного переходного для двух и более капов/пинов. В идеале - каждому GND пину чипа - свой виа, каждому порту mlcc - свой или свои виасы.

Ответил чуть выше

Да, я видел, спасибо.

>Может тут же рядом силовая линия на хренову тучу вольт и ампер идёт
Ну это уже слегка натягивание совы на глобус.
А вдруг ядерный взрыв рядом и радиация убьет чип?
Если пряи рядом прокачивается 10А@60V, то явно на системном уровне проблема.

>Тут уже не то, что генерацию сбить - может и кварц/входы мк убить в общем-то.
Может конечно, но мое сообщение никак этот факт и не отрицает.

>А для каких-нибудь ОУ во многих ситуациях guard ring вообще лучше сделать чем не сделать.
Абсолютно верно, для некоторых аналоговых применений guard ring необходим, например, при работе с высокоимпедансными источниками это вообще must have, но guard ring в общем виде имеет отношение к утечкам, а не к мифическим защитам от чего-то. И вот еще лакмусовая бумажка: если ринг подключен к земле напрямую — сразу понятно, что разработчик не отдаёт себе отчета в том, что он делает, а дизайн - плох.

>Я так уже однажды на прототипе с LOG114 забил на guard ring
Ну на трансимпеданснике-то с огромным gain ясен-красен ток утечки критичен

>Так что не стоит так безапелляционно говорить что сабж вообще является шаманством. Конкретно тут он бы являлся шаманством, это да.
Я с вами на 100% согласен. Если из моего сообщения можно сделать вывод, что guard ring безусловно является шаманством во всех случаях - то я прошу прощения за не до конца ясное изложение моей мысли.

Ух, какие ништяки, оказывается, уже некоторое время как  можно купить не огромными партиями, а чуть ли не в розницу. Низковольтные eGaN в микроскопических размерах.

дык год как на диджи доступны

А я вот проспал и только сейчас обнаружил)

матлаб или лабвью могут.

но если ни с тем ни с тем не работаешь, то быстрее будет написать софтину на любой джаве/си и т.д.

Будешь заказывать?

Пока некуда воткнуть, на руках только один проект куда они здорово бы подошли, даже по цене влез бы в итоге. Но он почти готов, в нужные  параметры вписался, а под этих красавцев придется менять половину всего, начиная с готового buck-boost контроллера. Причём неиллюзорно нужно будет вообще ставить вместо него mcu с HRTIM и писать прошивку, а я на это морально не готов на таком этапе. Хотя можно было бы офигенно ужаться по площади и потери ещё меньше получить.

Возможно потом, в следующей ревизии или поиграться, но я с GaN уже игрался в общем-то.
Есличо, то на терраэлектронике несколько штук (~7) в розницу нашлись по 280р.

Rdson не маленькое

Так это ж для не безумных мощностей транзистор, он крошечный по размерам и для десятка-двух ампер всего. Есть варианты на сотни ампер и с меньшим на порядок Rds, но зато с большим Qgate. Тут важен вопрос на какой частоте работать нужно, ведь в какой-то момент динамические потери на свитчинг транзисторов превышают статические потери на Rds. Поэтому на Si мосфетах и, тем более, на IGBT  не делают сколько-нибудь мощные преобразователи с частотами мегагерцовых порядков, а вот на GaN такое уже вполне реалистично. А значит и индуктивности с емкостями можно ставить меньше по номиналу и с лучшими паразитными характеристиками, места в итоге занимать меньше и/или итоговый КПД получать выше.

А подешевеют - можно будет напрямую от микроконтроллера дёргать в не особенно требовательных к скорости применениях, с их то Qgate и напряжением открытия в несколько вольт из коробки у силовых транзисторов.

* 2мм*1.5мм размер есличо. Недурно для 18А и 12mOhm то.

Но долго не протянет, при 12 мОм в статике 3.9 Вт

Мужики, как посчитать feedforward кондёр ? :)

А там не стандартные 0.1 мкф?

Ну тут уж смотря как и куда тепло отводить. Так то даже в чистой статике ему пары квадратных дюймов платы вполне хватит для пассивного охлаждения при +25 за бортом. Можно адекватный охлад наконец сообразить если так уж хочется выжать каждый возможный ампер из транзистора. А то так то я могу и про многие Si мосфеты сказать, которые в корпусе TO-220 и тепловыделении в 100-200W на максимальном токе тоже долго не протянут.