Компания Micron объявила, что в конце этого года представит свою первую многослойную память типа HBM (High Bandwidth Memory) второго поколения. Производитель пока не раскрывает спецификации своих первых микросхем HBM2. Ожидается, что базовые ячейки DRAM будут производиться с использованием технологических процессов 10-нм класса (1y или 1z).